IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Informaţii de bază:
Producator de marcare | APT50GN60BDQ2G |
Type of casing: | THT |
Caz: | !_to-247ad_3_! |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurare: | !_single 1*(t+d)_! |
Tipul de material: | !_si-silicon_! |
RoHS | Da |
REACH | Nu |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Ambalaje şi greutate:
Unitate: | buc |
Greutate: | 12.98 [g] |
Tipul de ambalaj: | TUBE |
Pachet mic (număr de unități): | 30 |
Parametri electrofizici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 600 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 107 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 107 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 64 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 366 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 25 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.015 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 325 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3200 pF |
Termice și mecanice parametrii:
Tmin (temperatura minimă de lucru) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura maximă de lucru) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.67 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |
PIN dimensiuni | 0.00 [mm] |
Alternative şi înlocuiri
Produse alternative 1: | IXXH75N60B3D1 |
Produse alternative 2: | IXXH50N60B3D1 |