Republica Cehă (čeština) engleză Germania (Deutsch) Austria (Deutsch) Elveţia (Deutsch) Republica Slovacă (slovenčina) Ungaria (magyar) România (Română) Franţa (français) Italia (italiano) Polonia (polski) Estonia (eesti keel) Rusia (pусский) Spania (español) Slovenia (slovenščina) Croația (hrvatski) Bulgaria (български)
Ai articole în coş

DIM1200ESM33-MH00

Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes

!_prilohy_!:
Click pentru marire
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
Nu mai este în stoc
ID Code:185397
Producator:Dynex Semiconductor
Pret: la cerere
VAT:21 %
Disponibilitatea:la cerere
Stocul total:0 buc
Producator de marcare: DIM1200ESM33-MH00
Depozitul central Zdice: 0 buc
Stocarea externă (termen de livrare 5÷10 zile): 0 buc
Unitate:: buc
!_prehled mnozstevnich slev_!
CantitateaPret fara TVAPret cu TVA
This uses our latest technology trench IGBT, optimised for fast switching, and a SiC diode.
Some of the system-level benefits are improved efficiency, reduced volume/ size and weight. New inverter/converter topologies can also be realised with these devices. SiC devices (MOSFETs, Schottky diodes) are still expensive and hybrid Si/Sic module strikes a perfect balance between performance and cost. The SiC Schottky almost completely eliminates the reverse recovery loss. As a result the Erec loss is minuscule in hybrid module. ln addition, for applications such as PWM
inverters that have a hard switched turn-on there is also a significant reduction in turn-on losses due the dramatic reduction in free wheel diode recovery current.

Informaţii de bază:

Producator de marcareDIM1200ESM33-MH00 
Type of casing:MODUL 
Caz:MODUL - E 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Configurare:!_singl-e 3*(t+d)_! 
Tipul de material:!_sic hybrid_! 
Material BaseALSiC 
RoHSDa 
REACHNu 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Ambalaje şi greutate:

Unitate:buc 
Greutate:1400 [g]
Tipul de ambalaj:BOX 
Pachet mic (număr de unități):

Parametri electrofizici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)17900  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)360 [ns]
tf (turn-off=fall time)290 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)13000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance140000 pF

Termice și mecanice parametrii:

Tmin (temperatura minimă de lucru)-40 [°C]
Tmax (temperatura maximă de lucru)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.007 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.03 [°C/W]
PIN dimensiuni0.00 [mm]

Interogarea DIM1200ESM33-MH00

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Interogarea:*
Vă rugăm să rescrie codul:* antispam
     Mai multe informaţii

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Vă rugăm să rescrie codul din imagine antispam
Copyright © www.semic.ro by Shop5.cz

© www.semic.ro

În furnizarea de servicii ne ajuta la cookie-uri. Prin utilizarea serviciilor noastre consimţiţi la utilizarea noastra de cookie-uri.   Mai multe informaţii