Republica Cehă (čeština) engleză Germania (Deutsch) Austria (Deutsch) Elveţia (Deutsch) Republica Slovacă (slovenčina) Ungaria (magyar) România (Română) Franţa (français) Italia (italiano) Polonia (polski) Estonia (eesti keel) Rusia (pусский) Spania (español) Slovenia (slovenščina) Croația (hrvatski) Bulgaria (български)
Ai articole în coş

MSCSM120A10CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 24A

!_prilohy_!:
Click pentru marire
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
buc
ID Code:186233
Producator:Microchip Technology - Microsemi
Pret cu TVA : 97,5737 €
Pret fara TVA : 80,6394 €
VAT:21 %
Disponibilitatea:la cerere
Stocul total:0 buc
Producator de marcare: MSCSM120A10CT1AG
Depozitul central Zdice: 0 buc
Stocarea externă (termen de livrare 5÷10 zile): 0 buc
Unitate:: buc
!_prehled mnozstevnich slev_!
CantitateaPret fara TVAPret cu TVA
1 + 80,6394 €97,5737 €
3 + 78,7448 €95,2812 €
5 + 77,7975 €94,1350 €
10 + 76,8502 €92,9888 €
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Informaţii de bază:

Producator de marcareMSCSM120A10CT1AG 
Type of casing:MODUL 
Caz:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Configurare:!_half bridge_! 
Tipul de material:!_sic_! 
RoHSDa 
REACHNu 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Ambalaje şi greutate:

Unitate:buc 
Greutate:80 [g]
Tipul de ambalaj:BOX 
Pachet mic (număr de unități):10 

Parametri electrofizici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)24 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)146  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)100 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin/CL Load Capacitance838 pF

Termice și mecanice parametrii:

Tmin (temperatura minimă de lucru)-40 [°C]
Tmax (temperatura maximă de lucru)150 [°C]
Rthjc1 IGBT1.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
PIN dimensiuni0.00 [mm]

Interogarea MSCSM120A10CT1AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Interogarea:*
Vă rugăm să rescrie codul:* antispam
     Mai multe informaţii

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Vă rugăm să rescrie codul din imagine antispam

În furnizarea de servicii ne ajuta la cookie-uri. Prin utilizarea serviciilor noastre consimţiţi la utilizarea noastra de cookie-uri.   Mai multe informaţii